特許
J-GLOBAL ID：200903043610291364
薄膜成形方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140442
公開番号（公開出願番号）：特開平5-331645
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】 イオンの衝突による膜の破壊を防止して安定した堆積を行う。【構成】 フッ化シリコン等の原料ガスGを減圧気流により一方向に導くためのハウジング11と、ハウジング11の上流側に設けられ原料ガスGを高周波放電等によりプラズマ化するためのガス分解手段12と、ガス分解手段12から所定の距離だけ隔てられてハウジング11の下流側に設けられた基板13と、基板13とガス分解手段12との間に接地されて設けられプラズマ化により分解された粒子のうちのイオンのみを捕捉するトラップ手段たるグリット14とを備える。
請求項（抜粋）：
フッ化シリコン等の原料ガスをプラズマ化することにより分解してその粒子を基板の表面に堆積させて薄膜を成形するに際して、原料ガスが分解されるプラズマ領域と上記基板とを充分隔離させておき、分解した粒子を減圧気流により上記基板へ導く途中で、接地したトラップ手段によりイオンを捕捉して中性粒子のみを通過させ、これを上記基板に堆積させることを特徴とする薄膜成形方法。
IPC (3件)：
C23C 16/42
, B01J 19/08
, C01B 33/107
