特許

J-GLOBAL ID：200903043612984103

常圧プラズマ処理方法及びその装置

発明者： 屋良 卓也 ,  湯浅 基和 ,  本間 孝治
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社 ,  株式会社ケミトロニクス
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346859
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151494
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 常圧プラズマ処理方法において、プラズマと被処理体との接触部近傍を不活性ガスの雰囲気に保つ処理方法及びその装置の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入して電極間に電界を印加することにより得られるプラズマを被処理体に接触させて被処理体を処理する方法であって、該プラズマと被処理体との接触部近傍がガス雰囲気調整機構により不活性ガス雰囲気に保たれていることを特徴とする常圧プラズマ処理方法及び装置。

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入して電極間に電界を印加することにより得られるプラズマを被処理体に接触させて被処理体を処理する方法であって、該プラズマと被処理体との接触部近傍がガス雰囲気調整機構により不活性ガス雰囲気に保たれていることを特徴とする常圧プラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

Fターム (50件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA40 ,  4K030EA03 ,  4K030JA11 ,  4K030JA14 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB24 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB30 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045DQ16 ,  5F045EF02 ,  5F045EH10 ,  5F045EM01 ,  5F045EN04