特許

J-GLOBAL ID：200903043615731133

電子エミッタ

発明者： チャラマラ,バブ ,  パック,サン・ピー ,  ローウェル,チャールス・エー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 藤村 直樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-509828
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501358
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】電子エミッタ121,221,321,421は、その上に形成されるパッシベーション層120,220,320,420を有する電子エミッタ構造118を具備する。パッシベーション層120,220,320,420は、Ba,Ca,Sr,In,Sc,Ti,Ir,Co,Sr,Y,Zr,Ru,Pd,Sn,Lu,Hf,Re,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Thの酸化物およびそれらの組合せからなる群から選択される酸化物から作成される。好適な実施例においては、電子エミッタ構造118はモリブデンから作成され、パッシベーション層120,220,320,420はモリブデンの仕事関数よりも低い仕事関数を有する放出強化酸化物から作成される。

請求項（抜粋）：

表面を有する基板(110); 前記基板(110)の前記表面上に配置される陰極(112); 前記陰極(112)上に配置されエミッタ・ウェル(115)を規定する誘電層(114); 前記エミッタ・ウェル(115)内に配置され表面(123)を有する電子エミッタ構造(118); 前記電子エミッタ構造(118)の前記表面(123)上に配置され電子エミッタ(121,221,321,421)を規定するパッシベーション層(120,220,320,420);および 前記電子エミッタ(121,221,321,421)に対向する陽極(122); によって構成されることを特徴とする電界放出装置(100,200,300,400)。