特許
J-GLOBAL ID：200903043617484346
基板上にパターン付けした皮膜を形成する方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015801
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196399
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体基板上にパターン付けした皮膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の方法は、フォトレジスト下層30を付着しかつ硬化させてNMPに不溶にし、この上にポリエーテル・スルフォン層32及びフォトレジスト上層34を付着し、上記3層のパターンを通して皮膜パターン42をパターン付けし、NMPを使ってポリエーテル・スルフォン層32を除去し、次に選択的レジスト・ストッパを使ってフォトレジスト下層30を除去する。
請求項（抜粋）：
基板上にパターン付けした皮膜を形成する方法において、a)第1の溶液に可溶な第1の材料の第1の層を付着させる工程、b)後の皮膜付着条件下で熱的に安定となり、第2の溶液に不溶性になるように上記第1の層をコンディショニングする工程、c)後の皮膜付着条件下で熱的に安定で、第2の溶液に可溶なリリース材料のリリース層を付着させる工程、d)上記第1の層およびリリース層を介して、所定の皮膜パターンをパターン付けする工程、e)皮膜層を付着させ、これにより上記基板上に上記所定の皮膜パターンを有するパターン付け皮膜を形成する工程、f)上記皮膜層およびリリース層を除去する工程、およびg)上記第1の層を除去する工程を含む方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
, G03F 7/26 511
, H01L 21/31
