特許

J-GLOBAL ID：200903043636508426

SMD型光ピックアップ受発光装置及びその製造方法

発明者： 野口 克彦
出願人/特許権者： 株式会社シチズン電子
代理人 (1件)： 高宗 寛暁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029410
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228022
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 LDの実装に特殊治具が必要となり、位置精度確保困難、装置全体がロボットで扱えない、加工工程が集合体で処理出来ずコストアップになる。【解決手段】 SMD型光ピックアップ受発光装置10は、LD、PD及びOEIC等の素子を搭載する電極パターンと外部接続用入出力端子とを備えた本体金属基板11上に実装されたSMD型LDから発光された光がホログラムレンズ13を通過し対象物に当たり帰還した光の位相を変えOEIC14のホトトランジスタ部分に受光される如くOEIC14をSMD型LD12に隣接して配設し、且つ、SMD型LD12の発光をモニターするPD15をLD12の直下に位置する様に配置し、本体金属基板11とホログラムレンズ13の間に位置しLD12、PD15及びOEIC14をキャップ16で覆い外部と気密封止する。放熱効果が優れ、殆ど全体を集合体で行い組立精度、生産性が高い。

請求項（抜粋）：

レーザーダイオード、フォトダイオード及び受光用IC等の半導体素子を搭載する電極パターンと外部接続用入出力端子とを備えた本体金属基板と、該本体金属基板上に実装されたSMD型レーザーダイオードから発光された光がガラス等のベース基板上に形成されたホログラムレンズを通過し対象物に当たり帰還した光の位相を変え受光用ICのホトトランジスタ部分に受光される如く受光用ICを前記SMD型レーザーダイオードに隣接して配設し、且つ、SMD型レーザーダイオードの発光をモニターするフォトダイオードをレーザーダイオードの直下に位置する様に配置し、前記本体金属基板とホログラムレンズの間に位置しレーザーダイオード、フォトダイオード及び受光用IC等の内部構造物を外部と気密封止手段により遮断する金属キャップとを具備したことを特徴とするSMD型光ピックアップ受発光装置。

IPC (5件)：

G11B 7/125 ,  G11B 7/13 ,  G11B 7/22 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/022

FI (5件)：

G11B 7/125 A ,  G11B 7/13 ,  G11B 7/22 ,  H01L 31/10 A ,  H01S 3/18 612

Fターム (25件)：

5D119AA02 ,  5D119AA38 ,  5D119AA40 ,  5D119FA05 ,  5D119FA23 ,  5D119FA28 ,  5D119FA30 ,  5D119FA35 ,  5D119KA02 ,  5D119NA04 ,  5D119NA06 ,  5F049MA01 ,  5F049MA11 ,  5F049NB08 ,  5F049TA06 ,  5F049TA12 ,  5F049TA20 ,  5F073AB15 ,  5F073AB27 ,  5F073BA04 ,  5F073FA05 ,  5F073FA08 ,  5F073FA27 ,  5F073FA29 ,  5F073FA30