特許

J-GLOBAL ID：200903043639139782

導波路型半導体受光素子の製造方法

発明者： 渡邊 功
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121774
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 簡便な製造技術で、超高速・高量子効率の導波路型半導体受光素子を実現することを目的とする。【構成】 高抵抗半導体基板上に形成するpin型半導体受光素子の製造方法において、高抵抗基板側の第1導伝型高濃度半導体層を、この層の上部エピタキシャル層に対して選択的にエッチング阻止できる半導体層で形成する。【効果】 素子を製作するのに2回の簡便なウェットエッチング工程で済み、その製作工数が著しく低減できる。

請求項（抜粋）：

高抵抗半導体基板上に形成される導波路型半導体受光素子の製造方法において、前記高抵抗基板側の第1導伝型高濃度半導体層を、この層の上部エピタキシャル層に対して選択的にエッチング阻止できる半導体層で形成することを特徴とする導波路型半導体受光素子の製造方法。