特許
J-GLOBAL ID：200903043644153696
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-203979
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152671
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 活性層が超格子の半導体レーザにおいて、その製造段階での操作性を良好にし、大面積ウェハへの適用を容易とし、歩留りを向上させ、さらに製造工程数を低減する。【構成】 固相拡散によって超格子活性層3をディスオーダし、拡散後、固相拡散に使用した膜をエッチングマスク及び選択成長マスクにも利用する。
請求項（抜粋）：
活性層を超格子とする半導体レーザの製造方法において、固相拡散によって不純物を拡散させることによって超格子をディスオーダさせる工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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