特許

J-GLOBAL ID：200903043647111625

半導体製造方法と半導体製造システムおよびそれらにより製造された半導体デバイス

発明者： 後藤 泰子 ,  中山 義則 ,  田和 邁 ,  北條 穣
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 磯村 雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-047545
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242039
出願日： 1997年03月03日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 光露光装置で露光されたパターンに合わせて電子ビーム描画装置で合わせ描画をする際、光露光装置の露光によりパターンの歪が変動するため、電子ビーム描画装置で、歪に合わせた補正をして描画しても十分に精度が得られなかった。【解決手段】 光露光装置で露光するにつれて変化する光学歪の量に応じて、電子ビームで補正する量を更新して描画することにより、光露光装置を用いて転写されたパターンに対して電子ビーム描画で合わせ描画をする際に、高精度な合わせ描画を実現し、かつ、補正データの管理を容易になる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の異なるパターン層をそれぞれ異なる露光装置を用いて形成して、上記半導体集積回路を製造する半導体製造方法において、第1の露光装置の露光の繰返しによって生じるパターン形状の変化を予め求めておき、次段の第2の露光装置による次のパターン層の形成時、形成するパターンの形状を、上記予め求めたパターン形状の変化に基づき露光毎に補正することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (5件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 541 W