特許

J-GLOBAL ID：200903043650219313

半導体装置およびその製造方法

発明者： 秋山 浩二 ,  張 麓▼路▲ ,  大野 守史
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-333958
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142153
出願日： 2005年11月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】高精度でメタルゲート電極の仕事関数を制御することができる、メタルゲート電極を用いたMOS型の半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10の主面に絶縁膜16を介して形成されたメタルゲート電極25と、主面にメタルゲート電極を挟んでそれぞれ形成されたソース電極33およびドレイン電極34とを有するMOS型の半導体装置において、メタルゲート電極25は、金属窒化物膜17とその金属窒化物の金属と同じ金属からなる金属膜18との2層構造を形成した後に金属窒化物膜17の窒素を金属膜に固相拡散させることにより形成される。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の主面に絶縁膜を介して形成されたメタルゲート電極と、前記主面に前記メタルゲート電極を挟んでそれぞれ形成されたソース電極およびドレイン電極とを有するMOS型の半導体装置であって、 前記メタルゲート電極は、金属窒化物膜と前記金属窒化物の金属と同じ金属からなる金属膜との2層構造を形成した後に前記金属窒化物膜の窒素を金属膜に固相拡散させることにより形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4件)：

H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G

Fターム (56件)：

4M104AA01 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC05 ,  4M104DD66 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048DA27 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF10 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BF32 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG33 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CF00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• MOS型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-311387   出願人：株式会社半導体理工学研究センター

審査官引用 (1件)

• トランジスタ作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-049739   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド