特許
J-GLOBAL ID：200903043650868869
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176396
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021144
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【構成】テープキャリアに半導体素子を配設し、該半導体素子に設けた多数の電極に、前記テープキャリアに設けられたインナーリードの先端を圧熱融着等によりそれぞれ接続し、しかる後に前記半導体素子及びリードの一部を樹脂等で封止した半導体装置において、前記テープキャリアに設けられるインナーリードを、デバイスホールの対向した辺より突出し、櫛羽状とする。また前記半導体素子の電極を能動面上に、一列に配列する。【効果】半導体素子の配線を最適化するため、半導体素子上に電極を一列に配列することにより半導体素子の縮小が可能となる。それと同時に、半導体素子の縮小化により、半導体素子製造時の1ウエハー上での取り個数が増加し、コストダウンが可能となる。更にテープキャリアのインナーリードをデバイスホールの対向する辺より突出させ、櫛羽状とすることにより高密度実装を可能とする。
請求項（抜粋）：
テープキャリアに半導体素子を配設し、該半導体素子に設けた多数の電極に、前記テープキャリアに設けられたインナーリードの先端を圧熱融着等によりそれぞれ接続し、しかる後に前記半導体素子及びリードの一部を樹脂等で封止した半導体装置において、前記テープキャリアに設けられるインナーリードは、デバイスホールの対向した辺より突出し、櫛羽状である事を特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
