半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006881
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203846
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】ノッチングのない高精度な異方性形状のゲート電極を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】図1(a)に示す第1工程にて、基体2表面に絶縁膜としてのゲート酸化膜4を形成し、次いで図1(b)に示す第2工程にて、ゲート酸化膜4上に下導電層6と上導電層7とを順次堆積して積層する。この上導電層7の堆積は、下導電層6よりn型不純物濃度が高くなる状態に不純物を導入しつつ行うようにする。そして図1(c)に示す第3工程にて、下導電層6と上導電層7とをゲート電極9のパターンに形成して半導体装置1を製造する。

請求項（抜粋）：

基体表面に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に積層された導電層パターンとを備えてなり、該導電層パターンのうち前記絶縁膜側は、そのn型不純物濃度が、前記絶縁膜と反対の側におけるn型不純物濃度より低く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開昭57-031178
特開昭57-031178
特開平1-304766

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