プラズマエッチング用電極板及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高畑正也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-234242
公開番号（公開出願番号）：特開平8-074074
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：

【要約】【目的】シリコンウエハーを汚染することなく、高精度のエッチング加工を可能とする耐酸化損耗性に優れたプラズマエッチング用電極板及びその製造方法を提供すること。【構成】表面をフッ素化したガラス状カーボンからなるプラズマエッチング用電極板。その製造方法は、減圧蒸留により精製したフェノール及びホルマリンを付加縮合反応させて調製したフェノール樹脂初期宿合物を成形し、加熱硬化した後、高純度の非酸化性雰囲気に保持された加熱炉中で800°C以上の温度により焼成炭化して得られたガラス状カーボンを所定形状に加工し、次いで高純度のフッ素含有ガスにより100°C以上の温度で処理して、表面をフッ素化する。

請求項（抜粋）：

表面をフッ素化したガラス状カ-ボンからなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。

IPC (5件)：

C23F 4/00 , C01B 31/02 101 , C04B 35/52 , C04B 41/80 , H01L 21/3065

FI (2件)：

C04B 35/52 G , H01L 21/302 C

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