特許
J-GLOBAL ID：200903043665939703
酸素添加窒化チタン膜及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259108
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、バリア層としての能力を損なうことなく接触抵抗値及びシート抵抗値を低減させ、適用される半導体装置の性能を向上させた酸素添加窒化チタン膜を得る。【構成】 他の材料と接触する表面側11及び13の酸素濃度を内部12の酸素濃度よりも低く設定する。これにより、配線材料やシリコン基板1との接触面では窒化チタン膜と同等の低い接触抵抗値が得られる。又、内部の酸素添加領域では優れたバリア性が得られる。更に、多層構造からなる酸素添加窒化チタン膜10の全体としてのシート抵抗値が抑制される。
請求項（抜粋）：
半導体装置内の積層配線のバリア層として用いられる酸素添加窒化チタン膜において、他の材料と接触する表面側の酸素濃度が内部の酸素濃度よりも低く設定されたことを特徴とする酸素添加窒化チタン膜。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, C23C 14/08
, C23C 14/48
, H01L 21/203
