特許

J-GLOBAL ID：200903043676490333

化合物半導体薄膜の成膜方法

発明者： 松本 直樹 ,  元木 健作
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252840
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087253
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】化合物半導体の構成元素の有機金属化合物のガスと、高周波電力を印加してプラズマ状態にした窒素ガスまたは窒素化合物ガスとを供給してCVD法により化合物半導体薄膜を成膜する方法において、化合物半導体薄膜の成膜工程を簡素化して製造コストを低減する。【解決手段】化合物半導体薄膜11を基板7に被着させる工程に先立って、プラズマ状態の窒素ガスまたは窒素化合物ガスにより基板7の表面7aを窒化する処理を行う。この工程により窒化された基板7の表面が成膜時の下地となり、バッファ層の成膜工程を省略できると同時に良好な性状の薄膜11を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体薄膜の成膜方法であって、減圧された成膜室内で所定の基板温度に保持された基板に、窒素ガスまたは窒素化合物ガスである第1原料ガスをプラズマ状態で接触させる第1工程と、該第1工程により表面を窒化された基板に対して、引続き供給されるプラズマ状態の該第1原料ガスと共に、目的とする化合物半導体の構成元素の各々の有機金属化合物のガスまたはその混合物である新規に供給された第2原料ガスとを接触させて該基板表面に目的とする化合物半導体薄膜を被着させる第2工程とを含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/86 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/86