特許

J-GLOBAL ID：200903043678691336

オプトエレクトロニクス構造及びその製造方法

発明者： アンドリュー ジェームズ ハドソン ,  サリー アンダーソン ,  マイケル スチュアート ウェーバー ,  クレイグ トンブリング
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038886
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243562
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 ドーパント/染料が拡散される層の上に、インクジェット法等の方法により必要なドーパント/染料パターンを提供すること。【解決手段】 本発明の有機オプトエレクトロニクス構造が、(a)1つの表面に設けられた電子輸送領域と、(b)反対の表面に設けられたホール輸送領域と、(c)少なくとも1つの活性領域とを有する有機電荷輸送層構造を含み、少なくとも1つの活性領域が、少なくとも1つのドーパントが拡散している該有機電荷輸送層構造の拡散された領域により規定され、該拡散された領域が、該層構造の厚み方向の一部分のみに広がることにより、上記課題が達成される。

請求項（抜粋）：

(a)1つの表面に設けられた電子輸送領域と、(b)反対の表面に設けられたホール輸送領域と、(c)少なくとも1つの活性領域とを有する有機電荷輸送層構造を含み、該少なくとも1つの活性領域が、少なくとも1つのドーパントが拡散している該有機電荷輸送層構造の拡散された領域により規定され、該拡散された領域が、該層構造の厚み方向の一部分のみに広がる、有機オプトエレクトロニクス構造。

IPC (5件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/00 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (6件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 B ,  H05B 33/22 A ,  H05B 33/22 C ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B