特許
J-GLOBAL ID：200903043678880201
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267189
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130207
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体、LCD基板の製造に用いられるドライエッチング装置などのプラズマ処理装置において、大型基板のヘリウム冷却を可能とし、スループットが大で、基板温度安定性の良いプラズマ処理装置を提供する。【構成】 被処理基板を載置するヘリウム供給口を有する凹状電極と、被処理基板の端面を基板の面に沿って押圧する端面加圧子と、基板平面を凹状に整形する板面加圧子を有し、被処理基板を電極の凹面に沿って押圧し、基板と電極の間にヘリウムを充満し、基板の円筒面に外面よりヘリウムの外圧をかけて有効に基板の冷却を行う。
請求項（抜粋）：
真空容器と、真空排気手段と、反応ガス供給手段と、最小一対の電極と、電極への高周波電力供給手段と、被処理基板と電極との間に不活性ガスを充満させるガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する凹状の電極と、基板の端面を基板の面に沿って押圧する端面加圧子とを有するプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/203
, H01L 21/205
