特許

J-GLOBAL ID：200903043680258984

メモリ装置

発明者： 佐藤 高史 ,  西尾 洋二 ,  中込 儀延
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136323
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330394
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】大容量かつ高速なデータ伝送を可能とするデータ伝播時間の小さい高周波動作が可能なメモリ装置を提供する。【解決手段】複数のメモリモジュールをメモリモジュール111〜114と115〜118の2組のメモリモジュール群に分割し、メモリ制御装置203からの配線121を配線101と102に分岐してそれぞれのメモリモジュール群に接続する。メモリ制御装置と一方のメモリモジュール群とを接続する配線121及び101の長さと、メモリ制御装置と他方のメモリモジュール群とを接続する配線121及び102の長さとが等しくなる位置にメモリ制御装置を配置する。こうした接続形態を取ることにより、同じ記憶容量の場合、メモリ制御装置とメモリ制御装置から最も遠いメモリモジュールまでの距離が従来に比べて短くなり、データ伝播時間の小さい高周波数動作可能となる。

請求項（抜粋）：

バス配線で結合された総数2k個のメモリモジュールとメモリ制御装置とが相互にデータ伝送を行うメモリ装置において、バス配線へのメモリ制御装置の接続位置を、バス配線上でメモリモジュールをk個ずつの2組のメモリモジュール群に分割する間の位置とすることを特徴とするメモリ装置。