特許
J-GLOBAL ID：200903043682990224
薄膜作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220721
公開番号（公開出願番号）：特開平8-081296
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 大面積の単結晶作製が不可能であった材料を用いた場合でも、規則的な単結晶薄膜アレイを形成でき、この単結晶薄膜アレイ中に素子を形成する際に素子と結晶粒界との重なりによる素子の不良率を低減できる薄膜作製方法を提供する。【構成】 所定の基板上に走査型探針装置を用いて複数の結晶核を規則的に形成する工程と、複数の結晶核が規則的に形成された前記基板上に結晶を成長させる工程とを有する。
請求項（抜粋）：
所定の基板上に走査型探針装置を用いて複数の結晶核を規則的に形成する工程と、複数の結晶核が規則的に形成された前記基板上に結晶を成長させる工程とを具備したことを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (4件)：
C30B 25/18
, C30B 29/38
, C30B 29/40 502
, C30B 29/42
