特許
J-GLOBAL ID：200903043687894525
半導体装置の配線構造
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342701
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175196
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】TiWをバリアメタル配線材料として用いる半導体集積回路で、ボンディングパッド部や配線部にポリSiを残しTiWの接着性を向上させる。【構成】TiWをバリアメタルとして用いた配線構造において、ボンディングパッド部や配線の下にゲ-ト電極や配線として用いたポリSi層3a,3bを、ゲ-ト加工、あるいは配線加工の工程において、上記ボンディングパッド部や配線部の下はエッチングをせずにTiW層6との間に層間絶縁層2との接着性の良いポリSi層を残す。また、Al-Cu-Si層あるいはAl合金層の1層配線のみでなく、上記Al-Cu-Si層あるいはAl合金層の2層配線でも同様に上記ポリSi層を、ゲ-ト加工、あるいは配線加工の工程において、上記ボンディングパッド部や配線部の下はエッチングをせずに上記TiW層との間に上記層間絶縁層との接着性の良い上記ポリSiを残す。
請求項（抜粋）：
チタンタングステン層をバリアメタルとして用いる半導体装置の配線構造において、ポリシリコン層が上記チタンタングステン層と密着していることを特徴とする半導体装置の配線構造。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
