特許

J-GLOBAL ID：200903043690822187

結合ウエーハの製造方法

発明者： 三谷 清 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158253
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029782
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 不純物の再分布を抑え、且つ、十分高い強度をもってウエーハを結合することができる結合ウエーハの製造方法を提供すること。【構成】 厚さが50μm以上異なる2枚の単結晶シリコンウエーハの薄い方のウエーハ(ボンドウエーハ)の表面に酸化膜を形成し、該薄い方のウエーハを前記酸化膜を介して他方の厚いウエーハ(ベースウエーハ)に接合し、接合された両ウエーハに対して、900°C以下の温度領域での0.5〜120分間の熱処理を少なくとも2回行なう。

請求項（抜粋）：

厚さが50μm以上異なる2枚の単結晶シリコンから成るウエーハのうち、薄い方のウエーハ表面に酸化膜を形成し、該薄い方のウエーハを、前記酸化膜を介して他方の厚い方のウエーハに接合し、この接合された両ウエーハに対して、900°C以下の温度領域での0.5〜120分間の熱処理を少なくとも2回行なうことによって、前記接合された2枚のウエーハを強固に結合せしめることを特徴とする結合ウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/324