特許
J-GLOBAL ID：200903043694865654
ダイヤモンド膜の被覆方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-124896
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：
【要約】【目的】 基板へのダイヤモンド膜の被覆方法に関し、密着力の高い被覆方法を実用化することを目的とする。【構成】 耐熱性基板上に写真蝕刻技術又は反応性イオンエッチング技術を用いて多数のエッチング孔を密に形成した後、この基板をダイヤモンド粒子を含む液中に浸漬して超音波振動を行い、ダイヤモンド粒子をエッチング孔を含む基板面に衝突させて傷つけ処理を行った後、この基板を被処理基板としてダイヤモンドのプラズマ気相成長を行うことを特徴としてダイヤモンド膜の被覆方法を構成する。
請求項（抜粋）：
耐熱性基板上に写真蝕刻技術又は反応性イオンエッチング技術を用いて多数の孔または溝をエッチングにより高密度に形成した後、該基板上にダイヤモンドを気相成長させることを特徴とするダイヤモンド膜の被覆方法。
引用特許：
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