特許

J-GLOBAL ID：200903043696848250

結晶薄板の製造装置

発明者： 胡間 修二 ,  佃 至弘 ,  矢野 光三郎 ,  谷口 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-283035
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093728
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 結晶薄板を成長させるために成長面の温度制御を行うには、冷却能力を変化させる必要があるが、水冷の場合は冷却水流量を変化させることは困難であり、空冷の場合も冷却ガスを大幅に変更する場合は装置が大規模、高コストとなる。本発明は、このような状況を根本的になくして、結晶薄板を成長させる面の温度制御を容易に行い、低コストな結晶薄板を得ることを目的としている。【解決手段】 金属材料もしくは半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する結晶性物質の融液に、基体温度を制御して接触させることにより、基体表面に前記結晶性物質の結晶薄板を得る装置において、熱伝導率が異なる材質からなる多層構造にして、該基体の温度を制御する。

請求項（抜粋）：

基体を金属材料もしくは半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する結晶性物質の融液に接触させるとともに、該基体温度を制御しつつ、基体表面に前記結晶性物質の結晶を成長させることで、前記結晶性物質で形成された薄板を得る装置において、該基体を、熱伝導率が異なる材質からなる多層構造とすることで、該基体の温度を制御することを特徴とする結晶薄板の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/208 ,  C01B 33/02 ,  H01L 21/02 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/208 Z ,  C01B 33/02 E ,  H01L 21/02 B ,  H01L 31/04 X

Fターム (25件)：

4G072AA01 ,  4G072BB02 ,  4G072BB12 ,  4G072FF04 ,  4G072HH01 ,  4G072NN01 ,  4G072NN05 ,  4G072UU02 ,  5F051CB04 ,  5F051CB30 ,  5F053AA03 ,  5F053AA15 ,  5F053AA23 ,  5F053AA49 ,  5F053BB04 ,  5F053BB32 ,  5F053BB58 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053DD03 ,  5F053DD11 ,  5F053DD16 ,  5F053FF02 ,  5F053GG02 ,  5F053HH04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコンリボンの製造装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-187068   出願人：シャープ株式会社