特許
J-GLOBAL ID：200903043698352295
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233956
公開番号（公開出願番号）：特開平7-093984
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュメモリ型半導体記憶装置に関し、フラッシュメモリの新規な冗長構造を提供することを目的とする。【構成】 フラッシュメモリセルアレイが複数個のセルブロックに分割して構成され、セルブロック毎に消去を行う半導体記憶装置であって、nビットのデータを記憶するためのn個のセルブロックと、前記nビットのデータのパリティを記憶するためのパリティ記憶部と、前記n個のセルブロックの内不良セルブロックを記憶する不良出力記憶部と、前記セルブロックおよび前記パリティ記憶部から読み出したデータに基づき、不良セルブロックのデータを修正して出力するデータ修正回路とを有する。
請求項（抜粋）：
フラッシュメモリセルアレイが複数個のセルブロックに分割して構成され、セルブロック毎に消去を行う半導体記憶装置であって、nビットのデータを記憶するためのn個のセルブロックと、前記nビットのデータのパリティを記憶するためのパリティ記憶部と、前記n個のセルブロックの内不良セルブロックを記憶する不良出力記憶部と、前記セルブロックおよび前記パリティ記憶部から読み出したデータに基づき、不良セルブロックのデータを修正して出力するデータ修正回路とを有する半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, G06F 12/16 320
, G11C 29/00 302
, H01L 27/115
G11C 17/00 309 F
, H01L 27/10 434
