特許

J-GLOBAL ID：200903043698802070

表示装置

発明者： 仙田 孝裕 ,  室井 孝夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207268
公開番号（公開出願番号）：特開2004-233960
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】電気光学素子に設定した値の電流を流す画素回路構成の表示装置において、より広い面積を透明電極に割り当てることのできる表示装置を提供する。【解決手段】各画素回路Aij(1)において、ゲート配線Gi(1)によりTFT素子Q2を、制御配線Ei(1)によりTFT素子Q3を、それぞれ導通させ、電流源回路から電源配線PW(1)およびTFT素子Q1・Q3を介して有機EL素子EL1に所定の値の電流を流す。そして、TFT素子Q2・Q3を遮断して、コンデンサC1に上記電流の値に応じたTFT素子Q1のゲート・ソース間電圧を保持させることにより、有機EL素子EL1を駆動する電流の値を設定する。その後、TFT素子Q2を遮断したままTFT素子Q3を導通させることにより、TFT素子Q1に設定した値の電流を電圧源回路から電源配線PW(1)を介して有機EL素子EL1に流し、有機EL素子EL1を駆動する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気光学素子を備える各画素に上記電気光学素子に流す電流の値を設定して、上記電気光学素子を上記電流で駆動する表示装置において、 上記各画素には、 上記電気光学素子に上記電流を流すための第1の配線と、 上記第1の配線から上記電気光学素子に上記電流を流す経路に上記電気光学素子と直列に挿入されるとともに導通抵抗の制御端子を有する第1のアクティブ素子と、 上記経路に上記電気光学素子および上記第1のアクティブ素子と直列に挿入されるとともに導通/遮断用の制御端子を有する第2のアクティブ素子と、 電荷を蓄積し、蓄積した電荷に応じた電圧を上記第1のアクティブ素子の導通抵抗の制御電圧として上記第1のアクティブ素子の制御端子に印加する電荷保持手段と、 上記電荷保持手段に対する電荷供給経路上に挿入されるとともに導通/遮断用の制御端子を有し、遮断によって上記電荷保持手段に蓄積した電荷を保持させる第3のアクティブ素子と、 上記第2のアクティブ素子の制御端子に導通/遮断用の制御電圧を印加する第2の配線と、 上記第3のアクティブ素子の制御端子に導通/遮断用の制御電圧を印加する第3の配線とが配置されていることを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/22 ,  H05B33/14

FI (9件)：

G09G3/30 J ,  G09G3/20 611F ,  G09G3/20 621M ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 641D ,  G09G3/20 670K ,  G09G3/20 680G ,  G09G3/22 E ,  H05B33/14 A

Fターム (15件)：

3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C080AA06 ,  5C080AA18 ,  5C080BB05 ,  5C080DD03 ,  5C080DD23 ,  5C080DD28 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• アクティブマトリックス発光ダイオードピクセル構造及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-546378   出願人：サーノフコーポレイション
• 自発光装置およびそれを用いた電気器具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-137881   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリックス有機発光ダイオード(AMOLED)の表示ピクセル構造とそのためのデータロード/発光回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-102736   出願人：サーノフコーポレイション
• アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-257351   出願人：松下電器産業株式会社