特許
J-GLOBAL ID:200903043700120640

エッチング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-125451
公開番号(公開出願番号):特開平7-335610
出願日: 1994年06月07日
公開日(公表日): 1995年12月22日
要約:
【要約】【目的】保護ワックスを塗布することなく半導体のエッチング処理を行い、作業性を向上させるとともに、生産性を向上させる。【構成】下側カップリング治具6 に対して下側Oリング13を載置する。下側Oリング13にウェハー19を載置し、ウェハー19の上面には下側Oリング13と対向する上側Oリング12を載置する。下側カップリング治具6 の上面にはウェハー19より大きい気密保持Oリング30を配置する。下側カップリング治具6 の上面には上側Oリング12及び気密保持Oリング30と当接する上側カップリング治具5 を載置し、上側及び下側カップリング治具5,6 を締付治具30により締め付ける。上側又は下側カップリング治具5,6 には上側又は下側Oリング12, 13の内径より小さい貫通孔43を形成してウェハー19のエッチング面19b を外部に露出させるようにした。
請求項(抜粋):
下側カップリング治具に対して下側Oリングを載置し、前記下側Oリングに半導体基板を載置し、前記半導体基板の上面には下側Oリングと対向する上側Oリングを載置し、前記下側カップリング治具の上面には半導体基板より大きい気密保持Oリングを配置し、下側カップリング治具の上面には上側Oリング及び気密保持Oリングと当接する上側カップリング治具を載置し、前記上側及び下側カップリング治具を締付治具により締め付け、前記上側又は下側カップリング治具には上側又は下側Oリングの内径より小さい貫通孔を形成して半導体基板のエッチング面を外部に露出させるようにしたエッチング装置。
IPC (3件):
H01L 21/3063 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/68
FI (2件):
H01L 21/306 L ,  H01L 21/306 K

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