半導体装置および電子機器

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056121
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261104
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、高信頼な鉛フリーはんだによる温度階層接続を可能とすることにある。特に、上記のSn-Ag系、Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系、Sn-Zn系、及びこれにBiやInを添加した鉛フリーはんだを用いたときの温度階層接続を可能とすることにある。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、半導体チップが20mass%以下のAl、30mass%以下のIn、残りがZnにより構成されるZn-Al-In系の鉛フリー材料を用いて接続され、該半導体チップの有する電極と外部との接続部分となるリードとがワイヤボンデングにより電気的に接続されたものである。

請求項（抜粋）：

半導体チップが20mass%以下のAl、30mass%以下のIn、残りがZnにより構成されるZn-Al-In系の鉛フリー材料を用いて接続されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/52 , B23K 35/28 310 , C22C 18/00 , C22C 18/02 , C22C 18/04 , H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H05K 3/34 512

FI (8件)：

H01L 21/52 E , B23K 35/28 310 D , C22C 18/00 , C22C 18/02 , C22C 18/04 , H01L 21/60 311 S , H05K 3/34 512 C , H01L 21/92 603 B

Fターム (16件)：

5E319AA03 , 5E319AB05 , 5E319BB01 , 5E319BB04 , 5E319BB05 , 5E319BB10 , 5E319GG11 , 5E319GG20 , 5F044KK08 , 5F044LL01 , 5F044QQ03 , 5F047BA05 , 5F047BA14 , 5F047BA15 , 5F047BA17 , 5F047BA19

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