特許

J-GLOBAL ID：200903043704776515

高耐圧半導体装置

発明者： 小野瀬 保夫 ,  村上 進 ,  森島 慎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024957
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222724
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【構成】交互に導電型を異にする、少なくとも三つの半導体領域が隣接してかつ相交互にpn接合を形成するよう配置され、かつpn接合がその端面に露出するようにされた半導体基体と、半導体基体の一方の主表面に露出する第一導電型の第一半導体領域に隣接する第二半導体領域と、第二半導体領域及び第一半導体領域とは反対側の第二半導体領域に隣接する第三半導体領域とを具備し、半導体基体の端面には少なくとも曲率を有する二つの凸部および凸部に沿った傾斜面を有する。【効果】歩留まり良く高信頼性の高耐圧半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

交互に導電型を異にする、少なくとも三つの半導体領域が隣接してかつ相交互にpn接合を形成するよう配置され、前記pn接合がその端面に露出するようにされた半導体基体と、前記半導体基体の一方の主表面に露出する第一導電型の第一半導体領域に隣接する第二半導体領域と、前記第二半導体領域及び前記第一半導体領域とは反対側の第二半導体領域に隣接する第三半導体領域とを具備し、前記半導体基体の端面には少なくとも曲率を有する二つの凸部および前記凸部に沿った傾斜面を有することを特徴とする高耐圧半導体装置。