特許

J-GLOBAL ID：200903043710098324

半導体基板

発明者： 末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-136805
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008263
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【構成】 10×1017個/cm3 の酸素濃度を有するとともに、裏面10bから基板の略1/2の厚みまでの領域10cに、1×1017個/cm3 の濃度の炭素を含有している半導体基板。【効果】 酸素含有量が少ないため、高温熱処理を施すことなく、表面10aから半導体基板10の厚みtの略1/2までの領域にDZ層を形成することができ、ピットの発生や酸化膜の耐圧不良の発生を防止することができる。一方、所定濃度のC含有領域に自由体積を形成することができ、酸素濃度が少なくても酸素析出反応を進行させることができる。このため、LSI製造時に行われる約1000°Cで16時間程度の熱処理の際、同時に裏面10bから半導体基板10の厚みtの略1/2までの領域に酸素析出物を形成することができ、微小欠陥を発生させてIG層を形成することができる。したがって、Feにより半導体基板10が汚染された場合でもFeをこのIG層に吸着させることができ、積層欠陥の発生を防止することができ、この結果、積層欠陥に伴うリーク電流の増大を防止することができる。

請求項（抜粋）：

酸素濃度が5×1017〜15×1017個/cm3 である半導体基板であって、該半導体基板の裏面から2/3の厚み以下の範囲に、1017〜1018個/cm3 の濃度の炭素を含有していることを特徴とする半導体基板。