ITO導電膜とその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234978
公開番号（公開出願番号）：特開平6-081128
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月22日
要約：

【要約】【構成】スパッタガスに窒素、SiH4、NH3及びPH3ガスの中の何れか1つを11〜50容量%添加した低圧のスパッタガス雰囲気中で酸化インジウムと酸化錫をターゲットとしてスパッタリングを行うことにより、インジウム・錫酸化物に窒素、水素及びリンのなかの何れか1つが0.001〜50at.%含まれたITO導電膜を製造する。【効果】不純ガスによる悪影響を排して透明度が良好で膜厚が一定となり比抵抗が低いITO導電膜39を安定して製造することができるようになる。

請求項（抜粋）：