特許

J-GLOBAL ID：200903043716820420

半導体装置

発明者： グレッチュ、シュテファン ,  アルトハウス、ハンス-リートヴィッヒ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-533045
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509988
出願日： 1997年03月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】半導体テバイス(1)、例えばパワーレーザダイオードロッドが支持部材上に固定されている。半導体デバイス(1)と支持部材(2)との間にはその膨張率αthが半導体デバイスのそれに適合され高い弾性率を有する応力補償層(3)が備えられてる。機械的応力は弾性ひずみ範囲で応力補償層(3)だけでほぼ完全に補償される。それにより高温耐性及び温度サイクル耐性の接合部を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスが支持部材上に固定されている半導体装置において、半導体デバイス(1)と支持部材(2)との間に、その熱膨張係数が半導体デバイス(1)の材料のそれに適合され半導体デバイス(1)と支持部材(2)との間の機械的応力を補償するような高い弾性率を有する材料から成る応力補償層(3)が設けられ、この応力補償層(3)が第1の硬ろう層(4)により半導体デバイス(1)と、また第2の硬ろう層(5)により支持部材(2)と接合されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/36 ,  H01L 29/78 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/52 B ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 23/36 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-052892
  
• 特開昭62-198140
  
• 特開昭57-092842