絶縁膜の形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-198689
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050699
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】表面清浄化と絶縁膜形成を同一装置内で連続的に行うことが出来る光励起による絶縁膜形成方法を実現する。【解決手段】半導体基板表面に供給された少なくとも2種類の原料ガスを反応せしめる事によって絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、半導体基板を絶縁膜形成装置に装填して、半導体基板の表面に紫外光により励起された気体分子を曝露することにより半導体基板の表面を清浄化したる後、絶縁膜形成装置に原料ガスを導入しこれを光励起することにより絶縁膜を堆積せしむる。また、励起気体分子曝露の少なくともその後半部に、窒素または燐を含む気体分子を用いても良い。【効果】経時劣化の少ない半導体素子を作製できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に供給された少なくとも2種類の原料ガスを反応せしめる事によって絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、前記半導体基板を絶縁膜形成装置に装填して、前記半導体基板の表面に紫外光により励起された気体分子を曝露することにより前記半導体基板の表面を清浄化したる後、前記絶縁膜形成装置に前記原料ガスを導入しこれを光励起することにより前記絶縁膜を堆積せしむることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/316 P , H01L 21/318 B

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