特許
J-GLOBAL ID：200903043732632740
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
碓氷 裕彦
, 加藤 大登
, 伊藤 高順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-327851
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093733
出願日： 2005年11月11日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】放熱性を向上させると共に、小形化を実現し、また、応力に弱い構成の半導体チップであっても、半導体チップの2つの主面から速やかに放熱させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、一方の主面にコレクタ電極を有すると共に他方の主面にエミッタ電極及びゲート電極を有する6個のIGBTチップ4を備え、これらIGBTチップ4を挟むように設けられ各挟む側の面にIGBTチップ4の電極に接合するための電極パターン13、14、19が配設された2枚の高熱伝導性絶縁基板2、3を備え、そして、IGBTチップ4の電極と高熱伝導性絶縁基板2、3の電極パターン13、14、19とをろう付けにより接合して構成している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の主面に主電極を有すると共に他方の主面に主電極及び制御電極を有する1個或いは複数個の半導体チップと、
この半導体チップを挟むように設けられ、各挟む側の面に前記半導体チップの電極に接合するための電極パターンが配設された2枚の高熱伝導性絶縁基板とを備え、
前記半導体チップの電極と前記高熱伝導性絶縁基板の電極パターンとをろう付けにより接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/40 F
, H01L23/34 A
5F136BA03
, 5F136BB04
, 5F136BC02
, 5F136DA16
, 5F136DA22
, 5F136DA41
, 5F136EA13
, 5F136EA14
, 5F136EA16
, 5F136FA03
, 5F136FA16
, 5F136FA17
, 5F136FA42
