特許
J-GLOBAL ID:200903043735435694
半導体ウェーハの滑り度測定方法およびその装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安倍 逸郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-105932
公開番号(公開出願番号):特開2001-289773
出願日: 2000年04月07日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェーハの滑り度を正確に測定する半導体ウェーハの滑り度測定方法およびその装置を提供する。【解決手段】 0.21atmの減圧下で、半導体ウェーハの滑り度測定装置10の滑り度測定台11を徐々に傾斜させて、滑り度測定台11のウェーハ載置面11a上に載置されたシリコンウェーハWの滑りだしの傾斜角度を測定する。これにより、シリコンウェーハWとウェーハ載置面11aとの間に、抵抗となる空気が介在されず、その結果、正確にシリコンウェーハWの滑り度を測定することができる。
請求項(抜粋):
半導体ウェーハの滑り度を測定する滑り度測定台の平坦なウェーハ載置面に半導体ウェーハを載置する工程と、その後、減圧下で、前記滑り度測定台を徐々に傾斜させることで、そのウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの滑りだしの傾斜角度を測定する工程とを備えた半導体ウェーハの滑り度測定方法。
IPC (3件):
G01N 19/02
, G01L 5/00
, H01L 21/66
FI (3件):
G01N 19/02 Z
, G01L 5/00 G
, H01L 21/66 L
Fターム (11件):
2F051AA21
, 2F051AB01
, 2F051AC01
, 2F051BA00
, 4M106AA01
, 4M106CA24
, 4M106CA52
, 4M106DH08
, 4M106DJ02
, 4M106DJ05
, 4M106DJ32
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