特許

J-GLOBAL ID：200903043735435694

半導体ウェーハの滑り度測定方法およびその装置

発明者： 遠藤 秀行 ,  安田 弘 ,  森田 悦郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-289773
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの滑り度を正確に測定する半導体ウェーハの滑り度測定方法およびその装置を提供する。【解決手段】 0.21atmの減圧下で、半導体ウェーハの滑り度測定装置10の滑り度測定台11を徐々に傾斜させて、滑り度測定台11のウェーハ載置面11a上に載置されたシリコンウェーハWの滑りだしの傾斜角度を測定する。これにより、シリコンウェーハWとウェーハ載置面11aとの間に、抵抗となる空気が介在されず、その結果、正確にシリコンウェーハWの滑り度を測定することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの滑り度を測定する滑り度測定台の平坦なウェーハ載置面に半導体ウェーハを載置する工程と、その後、減圧下で、前記滑り度測定台を徐々に傾斜させることで、そのウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの滑りだしの傾斜角度を測定する工程とを備えた半導体ウェーハの滑り度測定方法。

IPC (3件)：

G01N 19/02 ,  G01L 5/00 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 19/02 Z ,  G01L 5/00 G ,  H01L 21/66 L

Fターム (11件)：

2F051AA21 ,  2F051AB01 ,  2F051AC01 ,  2F051BA00 ,  4M106AA01 ,  4M106CA24 ,  4M106CA52 ,  4M106DH08 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ05 ,  4M106DJ32