液晶表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129859
公開番号（公開出願番号）：特開平9-318935
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】従来では、遮光層が金属1層、または、金属と金属酸化物の2層のみで形成されているため、基板側で反射率を十分高くし、かつ対向電極9側での反射率を十分低くすることはできない。このため、遮光層によって入射光の一部が吸収され、光吸収による温度上昇、すなわち、液晶、薄膜トランジスタの温度上昇が起こる。この温度上昇によって、液晶の信頼性低下および薄膜トランジスタの特性の劣化が生じる。【解決手段】基板14上に、薄膜トランジスタ18に対応した位置に、3つの膜からなる遮光層20を形成する。金属膜20aは反射率の高い金属、例えばアルミニウムである。金属膜20bは20aと比較して反射率の低い金属、例えばモリブデンである。多層膜20cは、屈折率の高い膜、例えば酸化チタンと、屈折率の低い膜、例えば二酸化ケイ素を交互に2層積層した多層膜である。

請求項（抜粋）：

一方の基板上に半導体スイッチング素子およびこれを介して電位が与えられる絵素電極が形成され、他方の基板上に対向電極および半導体スイッチング素子に対応した部分に遮光層が形成され、前記両基板間に液晶が充填された液晶表示装置において、前記遮光層が、前記基板面から順に、第1の金属膜、第2の金属膜、反射防止膜からなる3層で構成され、前記第1の金属膜と第2の金属膜とは、反射率が異なることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/1335 500 , G02F 1/136 500

FI (2件)：

G02F 1/1335 500 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (7件)

アクテイブマトリクス表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-200842 出願人：シヤープ株式会社
特開平4-001728
特開平2-144525

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