特許
J-GLOBAL ID：200903043736198459
半導体装置及びその評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256334
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 ゲート酸化膜の信頼性評価等を行っても、歩留まりを損なうことなくデバイスチップの収率を上げ得る半導体装置及びその評価方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体ウエハ1上に設けられた複数のデバイスチップ3と、これらデバイスチップ3それぞれの近傍又は内部に設けられた、ゲート酸化膜の良否を判定するための酸化膜評価用ミニデバイス5と、を具備することを特徴とし、本発明の半導体装置の評価方法は、デバイスチップ3とは別に設けられた酸化膜評価用ミニデバイス5中のMOSトランジスタのゲート酸化膜にドーズ量の異なる電子ビームを注入し、Vthを測定することで、このVthのデバイス特性の電子ビーム注入量依存性から該ゲート酸化膜の良否を判定することを特徴とする。従って、歩留まりを損なうことなくデバイスチップの収率を上げることができる。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタのゲート酸化膜にドーズ量の異なる電子ビームを注入し、Vthを測定することで、このVthのデバイス特性の電子ビーム注入量依存性から該ゲート酸化膜の良否を判定することを特徴とする半導体装置の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 V
, H01L 29/78 301 T
