特許
J-GLOBAL ID:200903043737156083
半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-040345
公開番号(公開出願番号):特開2002-246486
出願日: 2001年02月16日
公開日(公表日): 2002年08月30日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】工程数を削減しながらゲート絶縁膜の異子2種のMOSトランジスタ回路の製造方法を提供する。【解決手段】 第1のMOSTr回路と第2のMOSTr回路との製造方法であって、第1及び第2のMOSTr回路形成領域に第1のゲート絶縁膜を形成し、第2のMOSTr回路形成領域のN又はPMOSTr形成領域に開口を有する第1のレジストパターンを形成してイオン注入し、前記第1のレジストパターンを有する半導体基板上全面にレジスト膜を形成し、これを第2のMOSTr回路形成領域のP又はNMOSTr形成領域に開口を有する第2のレジストパターンに加工してイオン注入し、前記第1及び第2のレジストパターンを、第2のMOSTr回路形成領域のN及びPMOS形成領域に開口を有するパターンに加工し、第2のMOSTr回路形成領域における第1のゲート酸化膜を除去し、第2のMOSTr回路形成領域に、第2のゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。
請求項(抜粋):
第1のMOSトランジスタ回路と、第1のMOSトランジスタ回路におけるゲート絶縁膜と異なる膜厚のゲート絶縁膜を有する第2のMOSトランジスタ回路とを同一半導体基板上に有する半導体装置の製造方法であって、(a)第1及び第2のMOSトランジスタ回路形成領域に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、(b)第2のMOSトランジスタ回路形成領域のNMOS又はPMOSトランジスタ形成領域に開口を有する第1のレジストパターンを形成し、第1のレジストパターンをマスクとして用いてイオン注入する工程と、(c)前記第1のレジストパターンを有する半導体基板上全面にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を、第2のMOSトランジスタ回路形成領域のPMOS又はNMOSトランジスタ形成領域に開口を有する第2のレジストパターンに加工し、得られた第2のレジストパターンをマスクとして用いてイオン注入する工程と、(d)前記第1及び第2のレジストパターンを、第2のMOSトランジスタ回路形成領域のNMOS及びPMOS形成領域に開口を有するレジストパターンに加工し、得られたレジストパターンをマスクとして用いて第2のMOSトランジスタ回路形成領域における第1のゲート酸化膜を除去する工程と、(e)少なくとも第2のMOSトランジスタ回路形成領域に、第2のゲート絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件):
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/10 461
, H01L 29/417
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (6件):
H01L 27/10 461
, H01L 27/10 434
, H01L 27/08 321 N
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/50 U
, H01L 29/78 371
Fターム (73件):
4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB25
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104FF14
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104GG16
, 5F048AA05
, 5F048AA09
, 5F048AB01
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB05
, 5F048BB06
, 5F048BB16
, 5F048BB18
, 5F048BE02
, 5F048BE03
, 5F048BE04
, 5F083EP02
, 5F083EP23
, 5F083EP55
, 5F083EP56
, 5F083GA28
, 5F083JA04
, 5F083JA15
, 5F083JA19
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083PR05
, 5F083PR12
, 5F083PR36
, 5F083PR43
, 5F083PR45
, 5F083PR53
, 5F083PR55
, 5F083ZA04
, 5F083ZA05
, 5F083ZA06
, 5F083ZA07
, 5F083ZA08
, 5F083ZA12
, 5F101BA07
, 5F101BA29
, 5F101BA36
, 5F101BB05
, 5F101BD02
, 5F101BD10
, 5F101BD24
, 5F101BD27
, 5F101BD36
, 5F101BD37
, 5F101BH09
, 5F101BH21
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