特許

J-GLOBAL ID：200903043737417278

P型結晶質シリコン薄膜の形成方法

発明者： 柿沼 弘明 ,  毛利 幹雄 ,  坂本 勝昭 ,  鶴岡 泰治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047790
出願日： 1991年08月15日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】[目的] 安価なガラス基板上に低消費電力で、P+ 型結晶質シリコン薄膜を成膜し、しかも、この薄膜の電気伝導度を従来と同程度、或いは、それ以上の値とするための方法を提供する。[構成] 原料ガスとして、シラン(SiH4 )ガス、水素(H2 )ガスおよび三フッ化ボロン(BF3 )の混合ガスを用いる。各ガスの流量を、[SiH4 ]=7SCCM、[H2 ]=400SCCMおよび[BF3 (He)]=1200SCCMとするか、或いは、[SiH4 ]=7SCCM、[H2 ]=400SCCMおよび[BF3 (He)]=1820SCCMとする。基板温度を250°C〜400°Cの範囲内の適当な温度に設定する。RFパワーを0.1W/cm2 とする。電気伝導度(単位はS/cm)は、10-3〜10-2程度である。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法を用いて基板上にP+ 型結晶質シリコン(Si)薄膜を形成するに当たり、基板を加熱した状態で、原料ガスとして、シラン(SiH4 )ガス、水素(H2 )ガスおよび三フッ化ボロン(BF3 )の混合ガスを用いて、前記基板上に前記P+ 型結晶質シリコン(Si)薄膜を成膜することを特徴とするP型結晶質シリコン薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-272156
  
• 特開平2-004973