特許

J-GLOBAL ID：200903043742046920

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者： 古瀬 宗雄 ,  渡辺 成一 ,  福山 良次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334957
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201808
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】ウェハにプラズマ処理を行う際、プラズマ処理室のプラズマ密度を高密度で均一とすることにより、ウエハのエッチング速度をウエハ全体で均一に上昇させる。【構成】マイクロ波プラズマ処理装置のプラズマ処理室4に、プラズマ処理を行うウエハに対向して高周波を印加することが可能な電極15を配置し、ウエハ10上の外周部のプラズマ密度を上昇させ、エッチング処理室内のプラズマ密度を高密度で均一にする。

請求項（抜粋）：

真空排気手段により減圧可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室にガスを供給するガス供給装置と、前記プラズマ処理室にマイクロ波を利用してプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマ処理室内に設けられプラズマ処理を施すウエハを保持する試料台と、試料台上に保持された前記ウエハに高周波を印加する手段とから成るプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理室内の前記試料台に対向した側に電極を配置し、該電極に高周波を印加することにより、前記試料台に保持されたウエハと前記電極との間で、高周波放電を可能としたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。