特許
J-GLOBAL ID：200903043747869452
薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283411
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】本発明は、結晶配向性が良好でストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションに対する耐性の高い配線形成が可能で、かつ表面平滑性の優れた薄膜の形成方法を提供しようとするものである。【構成】半導体基板12上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に導電材料を所望の間隔をおいて断続的に蒸着する工程とを具備したことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電体薄膜を形成する薄膜の形成方法において、前記導電体薄膜の成膜を不連続に行うことを特徴とする薄膜の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 N
, H01L 21/88 B
