エッチング深さ測定方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102527
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292129
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハに形成される孔や溝の深さを、孔(溝)形成層とマスクのエッチング速度比がばらついても、正確に孔や溝の深さ測定できる方法と装置。【解決手段】マスク15のエッチング速度をプロセス中に測定し、その値から孔あるいは溝とマスク15のエッチング速度の比であるエッチング選択比を算出し、そのエッチング選択比から、周期的に変化する信号の一周期に応じた深さを補正する方法と装置。

請求項（抜粋）：

マスクで覆われていないエッチング被加工部を有する半導体ウエハに単色光を照射し、前記エッチング被加工部と前記マスク表面からの2つの反射光による干渉光によって前記エッチング被加工部のエッチング深さを測定するエッチング深さ方法において、前記マスクのエッチング速度をエッチング加工中に測定し、その値から前記エッチング被加工部と前記マスクのエッチング速度の比をであるエッチング選択比を算出し、そのエッチング選択比を用いてエッチング深さ測定値を補正することを特徴とするエッチング深さ測定方法。

IPC (3件)：

G01B 11/22 , G01B 11/02 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01B 11/22 G , G01B 11/02 G , H01L 21/66 Z

Fターム (24件)：

2F065AA25 , 2F065BB13 , 2F065CC19 , 2F065DD03 , 2F065FF51 , 2F065GG02 , 2F065GG03 , 2F065GG22 , 2F065HH13 , 2F065JJ01 , 2F065LL02 , 2F065LL22 , 2F065LL46 , 2F065MM03 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106CA57 , 4M106CA70 , 4M106DH12 , 4M106DH60 , 4M106DJ04 , 4M106DJ18 , 4M106DJ19

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