特許
J-GLOBAL ID:200903043752137664

光半導体素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-016261
公開番号(公開出願番号):特開平7-226530
出願日: 1994年02月10日
公開日(公表日): 1995年08月22日
要約:
【要約】【目的】 受光素子、光増幅器、光変調器などの光半導体素子に関し、波長選択性により高性能波長弁別動作する素子を提供する。【構成】 p型電極107側から入射光が入ってきたとき、その入射光は分布反射用多層膜101,105で形成される共振器により、ある特定の波長だけが選択される。そしてその選択された波長だけが入射光の受光部である多重量子細線103で吸収される。この多重量子細線103でさらに入射光の吸収スペクトルの選択性を高めることができる。つまり、分布反射用多層膜101,105による入射光の波長の選択性と、多量子細線103のによる入射光の吸収波長の選択性との相乗効果により特定の波長だけを効率よく受光できる。
請求項(抜粋):
特定の波長に吸収もしくは利得ピークを持つ光吸収層もしくは利得を有する層と、前記吸収層もしくは利得を有する層の吸収もしくは利得ピーク波長と等しい共振波長の光共振器とを具備することを特徴とする光半導体素子。
IPC (5件):
H01L 31/10 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01S 3/18 ,  H01L 27/15

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