特許

J-GLOBAL ID：200903043759969622

熱抵抗測定方法

発明者： 加藤勝久
出願人/特許権者： ソニー・テクトロニクス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033991
公開番号（公開出願番号）：特開平11-211786
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 被試験半導体素子の種類に無関係に適用可能で、極めて正確な測定が可能で、かつ構成も簡単な熱抵抗測定方法を提供すること。【解決手段】 被試験半導体素子108に微小電流を順方向で供給し、上記被試験半導体素子の順方向電圧降下の温度特性を測定する第1ステップと、上記微小電流に比べて十分に大きな値の試験電流及び上記微小電流を上記被試験半導体素子に順方向で供給し、上記試験電流の供給停止直後における上記被試験半導体素子の順方向電圧降下の変化特性を測定する第2ステップと、上記被試験半導体素子と略同等のインダクタンス成分を有するダミー素子110に、上記微小電流及び試験電流を供給し、上記ダミー素子の両端間電圧特性を測定する第3ステップと、該第3ステップの結果から、上記第2ステップの測定結果の誤差を補正する第4ステップと、上記ステップ1及びステップ4の測定結果から上記被試験半導体素子の熱抵抗を求める第5ステップとからなる。

請求項（抜粋）：

被試験半導体素子に微小電流を順方向で供給し、上記被試験半導体素子の順方向電圧降下の温度特性を測定する第1ステップと、上記微小電流に比べて十分に大きな値の試験電流及び上記微小電流を上記被試験半導体素子に順方向で供給し、上記試験電流の供給停止直後における上記被試験半導体素子の順方向電圧降下の特性を測定する第2ステップと、上記被試験半導体素子と略同等のインダクタンス成分を有するダミー素子に、上記微小電流及び試験電流を供給し、上記ダミー素子の両端間電圧特性を測定する第3ステップと、該第3ステップの結果から、上記第2ステップの測定結果の誤差を補正する第4ステップと、上記ステップ1及びステップ4の測定結果から上記被試験半導体素子の熱抵抗を求める第5ステップとからなることを特徴とする熱抵抗測定方法。

IPC (2件)：

G01R 31/26 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01R 31/26 C ,  G01R 31/26 B ,  H01L 21/66 V