特許

J-GLOBAL ID：200903043765442580

半導体集積回路

発明者： 林 輝義
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110949
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 チップコンデンサなどのチップ部品を使用することなく、インピーダンスの整合をとるための技術を提供する。【解決手段】 ボンディングワイヤ17が空気によって絶縁されている場合には、ワイヤ間の寄生容量が小さいため、特に高周波帯域においてインピーダンスの不所望な上昇を余儀なくされるが、空気よりも比誘電率が大きなモールド材18によってボンディングワイヤ部をモールドすることにより、ワイヤ間の静電容量を大きくすることができ、それによりインピーダンスの不所望な上昇を抑えることができるため、インピーダンスの整合をとることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、上記半導体チップが実装されるパッケージベースと、上記パッケージベース上に形成された複数のパッケージ伝送線とを有し、上記半導体チップと上記パッケージ伝送線とが複数のボンディングワイヤによって結合されて成る半導体集積回路であって、上記ボンディングワイヤは、信号を伝達するめの第1ワイヤと、それに隣接して設けられたグランドレベルの第2ワイヤとを含み、上記第1ワイヤと第2ワイヤとが互いに並行になるようにボンディングされ、且つ、空気よりも比誘電率が大きいモールド材によって上記ボンディングワイヤを覆うようにモールドされて成ることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/30

Fターム (11件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA05 ,  4M109DA07 ,  4M109EA02 ,  4M109EB12 ,  4M109EC07 ,  4M109EE07 ,  4M109GA01 ,  5F044AA07 ,  5F044JJ03