特許

J-GLOBAL ID：200903043769896305

発光ダイオード

発明者： 秋元 克弥 ,  柴田 真佐知 ,  土屋 忠厳 ,  大島 祐一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-365773
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164576
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】従来の単色発光ダイオードと全く同様の樹脂モールドの材料および工程が適用でき、且つ従来の単色発光ダイオードと比べて発光効率の低下や駆動電圧の上昇を招かない混合色発光ダイオードを提供すること。【解決手段】基板1又は21上に複数層の化合物半導体層を積層し、且つその積層体の一部に発光層となるpn接合又はヘテロ接合を有する半導体積層部を具備する発光ダイオードにおいて、前記積層体の光取り出し側に、Sn、W、Mo、Zr、Ti、Sb、Fのうち少なくとも1種類の元素がドープされたIn2 O3層7、8又は27を設け、そのIn2 O3 層中に、前記発光層からの発光の少なくとも一部を波長変換して発光する少なくとも1種類の無機蛍光体を含有させる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1層のIn2 O3 層と、化合物半導体からなる少なくとも1層の発光層と、該発光層からの発光の少なくとも一部を波長変換して発光する少なくとも1種類の無機蛍光体を有する発光ダイオードであって、前記In2 O3 層にSn、W、Mo、Zr、Ti、Sb、Fのうち少なくとも1種類の元素がドープされ、且つこのIn2 O3 層中に前記無機蛍光体が含有されていることを特徴とする発光ダイオード。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64 ,  C09K 11/74 ,  C09K 11/80 CPP

FI (7件)：

H01L 33/00 E ,  C09K 11/08 G ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64 ,  C09K 11/74 ,  C09K 11/80 CPP

Fターム (33件)：

4H001CA04 ,  4H001CC14 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA15 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA39 ,  4H001XA49 ,  4H001XA64 ,  4H001YA00 ,  4H001YA58 ,  5F041AA12 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA38 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11