特許

J-GLOBAL ID：200903043770698592

発光ダイオード用エピタキシャルウェーハの検査方法

発明者： 海野 恒弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087188
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291624
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】非接触でLED用エピウェーハの応答速度を求める方法の提供。【構成】LED用エピウェーハの活性層を光により励起し、励起されたキャリアーの消滅にともなうフォトルミネッセンス光の強度の時間変化を測定することにより、非接触でエピウェーハのLEDにした場合の応答速度を求める。

請求項（抜粋）：

発光ダイオード(以下LEDと略す)用エピタキシャル(以下エピと略す)ウェーハの活性層より表面側に成長させたウィンドウ層のバンドギャップエネルギーより小さく、活性層のバンドギャップエネルギーより大きなエネルギーの光をエピウェーハ表面に入射させ、活性層より放出されたフォトルミネッセンス光の時間変化を測定することにより、LEDの応答速度を求めることを特徴とするLED用エピウェーハの検査方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  G01N 21/63 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-250835
  
• 特開昭58-057764
  
• 特開昭56-147444