特許

J-GLOBAL ID：200903043773561253

半導体素子の製造方法

発明者： 浅井 市郎 ,  加藤 典司
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248642
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077131
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 非晶質半導体層をアニールして多結晶半導体層を形成する半導体素子の製造方法において、半導体素子の特性の向上及び均一性を図る。【構成】 非晶質半導体(アモルファスシリコン)から多結晶半導体(多結晶シリコン)に相転移するに必要なしきい値エネルギー密度ETHより大きいエネルギー密度E1のレーザー光を照射することにより、非晶質半導体層をアニールして該層中に1000オングストローム以下の多数の微小結晶核を形成し、前記エネルギー密度E1より大きいエネルギー密度E2のレーザー光を照射することにより、前記結晶核内外の欠陥を溶融させ、前記結晶核により粒径を強制的に小さく均一化して、半導体素子の特性の向上及び均一性を図る。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に堆積した非晶質半導体層をレーザの照射により結晶化させて多結晶半導体層を得る工程を具備する半導体素子の製造方法において、前記非晶質半導体層をレーザの照射により多結晶化する際に、非晶質半導体から多結晶半導体に相転移するに必要なしきい値エネルギー密度ETHより高く、且つ粒径が1000オングストローム以下となる多数の結晶核が形成されるエネルギー密度E1で非晶質半導体層をアニールする第1の工程と、前記エネルギー密度E1より高いエネルギー密度E2で前記結晶核が形成された多結晶半導体層を再度アニールし第1の工程で準備された結晶核内外の欠陥を溶融する第2の工程とを有し、前記エネルギー密度E2は第1の工程で形成された全ての結晶核を完全に再溶融する大きさより小さいことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-022540
  
• 特開昭64-025515
  
• 特開平4-124813
  
• 特開平2-295111