特許

J-GLOBAL ID：200903043781592699

飽和性吸収体を備えた半導体レーザ

発明者： ジヨエル・ジヤツケ ,  ドウニ・ルクレルク ,  ジヤン-ルイ・リーバン ,  デイデイエ・シゴーニユ
出願人/特許権者： アルカテル・エヌ・ブイ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041708
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082902
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】飽和性吸収体を有する半導体レーザを提供する。【構成】本発明のレーザにおいては、光導波路の連続する2つのセクションが光増幅器(S1)及び飽和性吸収体(S2)を構成する。本発明によれば、該導波路の受動セクション(S3)が該導波路に後続している。本発明は特に、光信号処理に使用される。

請求項（抜粋）：

連続する3つのセクションが光増幅器と飽和性吸収体と受動セクションとを構成している光導波路を含み、且つ吸光度制御電流が前記吸収体を通るように配置された電極を含む半導体レーザであって、前記電極が前記受動セクションの少なくとも一部に延びていることを特徴とする飽和性吸収体を備えた半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-202581
  
• 特開平2-267988
  
• 特開平1-316985