特許

J-GLOBAL ID：200903043782681318

メモリ冗長回路用の、あらかじめ決定された初期状態にある不揮発性でプログラム可能な双安定マルチバイブレータ

発明者： ジャン-ミシェル ミラベル
出願人/特許権者： エスジェーエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034531
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022699
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】双安定セルを改良して、メモリ冗長回路への使用を容易にする。【構成】双安定型のプログラム可能な不揮発性メモリセルはセルの2つのフローティングゲートトランジスタのTGF1,TGF2うちいずれかがプログラムされたか否かによって、1つの安定状態または別の安定状態を取ることができる。初期状態で、セルの出力によって制御されてセル内に不均衡を作り出し(従ってセルはトランジスタがプログラムされなくとも明確に定義された状態をとることができるようになる)、同時にこの場合でもセルによる電流消費がないことを確実にする追加のトランジスタT9が具備されている。欠陥アドレスを記憶するために大容量メモリの冗長回路に適用される。それによって、メモリが欠陥アドレスを持たない場合にセルをプログラムしなくても良い。

請求項（抜粋）：

2個のフローティングゲートトランジスタを備え、この2個のトランジスタのうちの1個のプログラミングによってその状態が決定される双安定マルチバイブレータを構成するプログラム可能なメモリセルであって、プログラムされていないセルの状態に不均衡を生じさせてプログラミング前であっても所定の出力状態を与え、読み出しモードで、セルがプログラムされていなくても、セルの電流消費を防ぐ手段を備えることを特徴とするメモリセル。

IPC (4件)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 11/401 ,  G11C 16/02 ,  H03K 3/356

FI (4件)：

G11C 11/34 371 D ,  G11C 17/00 307 B ,  H03K 3/356 B ,  H03K 3/356 E