ヘテロ構造基板およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-209461
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025916
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル成長層に結晶欠陥層が生じにくい、ヘテロ構造基板の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン単結晶基板51、シリコン酸化層53、シリコン単結晶層55が積層されたSOI基板を準備する。シリコン単結晶層55を選択的にエッチング除去し、シリコン単結晶層55にトレンチを形成する。フッ酸を上記トレンチを介して、シリコン酸化層53に供給することにより、シリコン酸化層53を除去する。これにより、空間部61が形成される。シリコン単結晶層55が、メンブレン構造のシリコン単結晶膜59となる。CVD装置を用いて、シリコン単結晶膜59を炭化し、その上に、ヘテロエピタキシャル成長によりシリコンカーバイド層63を形成する。

請求項（抜粋）：

メンブレン構造の結晶膜上に、ヘテロエピタキシャル成長により、エピタキシャル成長層を形成する工程を備える、ヘテロ構造基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , H01L 21/3065 , H01L 29/161 , C30B 29/36

FI (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , H01L 29/161 , C30B 29/36 A , H01L 21/302 J

Fターム (21件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB01 , 4G077EF03 , 5F004BA04 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004EA09 , 5F004EA10 , 5F004EA29 , 5F004EB08 , 5F004FA08 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AE29 , 5F045AF03

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