特許

J-GLOBAL ID：200903043789310790

電界放出素子及びその製造方法

発明者： 伊藤 茂生 ,  渡辺 照男 ,  落合 久隆 ,  大津 和佳 ,  谷口 昌照
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 西村 教光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270580
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124649
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 均一な抵抗値を有する抵抗層がエミッタごとに独立して設けられ、製造工程が簡単な電界放出素子(FEC)を提供する。【構成】 (a)絶縁基板2上にカソード導体3と絶縁層4とゲート5を順次積層させ、絶縁層4とゲート5には開孔部6を形成する。(b)基板2を電解液中に入れる。カソード導体3を陽極とし、不動態電極を陰極として陽極酸化を行なう。カソード導体3は、各開孔部6の部分ごとに酸化されて抵抗層7が形成される。(e)各抵抗層7上にMoからなるコーン形状のエミッタ10を形成し、FEC1を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたカソード導体と、前記カソード導体上に形成されて多数の開孔部を有する絶縁層と、前記各開孔部内の前記カソード導体の表面を酸化してなる独立した抵抗層と、前記各抵抗層上に形成されたコーン形状のエミッタと、前記絶縁層上に形成されたゲートを有する電界放出素子。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02